超级结MOSFET市场规模，份额和趋势分析报乐鱼体育手机网站入口告，按应用，区域展望，竞争战略，和细分预测，2019年至2025年

全球超结MOSFET市场在过去十年中见证了大幅增长，由于MOSFET在多个应用领域的效用增加。由于制造和包装技术的重大创新，市场有望在预测期内实现高速增长。主要应用包括照明、电源和显示设备。电源应用占相当大的市场份额，而超结mosfet应用在可再生能源，电动汽车混合动力电动汽车预计将在未来6年实现高速增长。日本、中国和德国是主要的需求地区，预计在预测期内将出现可观的增长。

多外延法是超结MOSFET市场上广泛采用的一种制造技术，而深沟槽法因其固有的先进特性而获得突出地位。像电源平面和电源模块这样的紧凑封装技术已经帮助超级结MOSFET实现了紧凑和更小的尺寸，从而增加了它们在空间受限的应用中的效用。

高通态电阻、更好的性能、低热偏差、低成本和高开关频率是推动超级结MOSFET市场的一些关键因素。较低的工艺变化，较低的输出电阻，越来越多的结漏，越来越多的栅氧化物泄漏，以及更高的阈值下导体是一些因素，预计将阻碍市场增长在预测期间。

制造超级结MOSFET的主要厂商包括东芝公司、富士通有限公司、英飞凌技术公司、Alpha & Omega半导体公司、瑞萨电子公司、Vishay Inter-Technology、Fairchild半导体公司、NXP半导体公司、ST Microelectronics N.V、International流器公司、ON半导体公司和ROHM半导体公司。