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由于对高可扩展、快速、经济的存储器解决方案的需求不断增加，预计下一代存储器市场将获得动力。随着数据的增加，越来越需要管理和存储数据和信息以备将来参考。市场参与者的目标是在下一代存储器市场上提供节能技术和提高效率。
全球下一代内存市场，各应用，2013 - 2020
传统存储技术的利润率下降有望成为新技术发展的关键因素，新技术有望提供更快、更高效的存储方法。预计在预测期内，对大容量存储和通用存储设备的需求增长将有利于市场增长。高设计成本和极端环境条件下的稳定性预计将阻碍未来六年的市场增长。此外，低写入持久率可能成为下一代存储器市场的制约因素。
在各种应用中，如工业和替代闪存的需求不断增加，可能为预测期内的市场增长提供新的机会。对柔性和可穿戴电子产品日益增长的需求也可能为市场增长提供新的途径。
应用程序的见解乐鱼APP二维码
下一代存储器市场产品解决了一些特定和小尺寸器件的迫切需求。由于STT-MRAM和PCM存储器的适应性增加，预计企业存储将在预测期内成为关键的应用领域。非易失性存储器有望改善企业存储系统的输入和输出性能，因为随着对基于web的数据的需求不断增长，它们的需求估计也会增加。在移动电话中，PCM的采用有望超过NOR或闪存。微控制器和智能卡可能采用PCM, MRAM或STT-MRAM作为嵌入闪存高密度芯片的替代品。
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非易失性存储器(NVM)高度可靠，可以使用简单的微型计算机和大多数现代电子设备进行编程;该领域在2013年占据了下一代存储器市场的大部分。少数非易失性存储器包括相变存储器(PCM)、铁电存储器(FeRAM)、磁阻存储器(MRAM)、电阻存储器(RRAM)、闪存和自旋传递扭矩存储器(STT-RAM)。内存类型是根据它们与编程和擦除操作相关的功能属性进行分类的。MRAM、STT-RAM和RRAM有望成为有前途的新兴技术。自旋传递扭矩技术具有降低当前要求和成本的潜力;然而，目前，对于大多数商业应用来说，所需的电流量太高。此外，增强的安全性、更低的功耗和更高的耐用性等特性也有望成为促进市场增长的关键NVM属性。
MRAM、STT-RAM和RRAM有望成为有前途的新兴技术。自旋传递扭矩技术具有降低当前要求和成本的潜力;然而，目前，对于大多数商业应用来说，所需的电流量太高。此外，增强的安全性、更低的功耗和更高的耐用性等特性也有望成为促进市场增长的关键NVM属性。
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由于中国、韩国、日本和印度等国家的主要行业参与者的存在，预计亚太地区将在预测期内成为关键的区域市场。此外，随着电脑和手机市场的增长，预计在未来6年内，该地区的下一代存储器市场也将得到发展。不同的接口技术包括DDR、SATA、SAS、PCIe、I2C等。DDR接口主要用于高速和内存要求高的应用，如工业、网络和电信设备。它们也用于服务器、工作站和图形卡。DDR能够在时钟周期的上升沿和下降沿获取数据，从而使给定时钟频率的数据速率加倍。SATA接口主要用于计算机系统和笔记本电脑。PCIe接口适用于所有计算机应用，包括企业服务器、PC机、通信系统和工业应用，用于缓存和缓冲应用。
有竞争力的见解乐鱼APP二维码
下一代存储器市场的主要供应商有IBM公司、Adesto公司、Everspin公司、Crossbar公司、富士通公司、英特尔公司、美光科技、三星电子公司和东芝公司等。东芝和韩国的SK海力士正在研究MRAM，它提供高存储容量，功耗只有DRAM的三分之二，而DRAM广泛用于个人电脑、智能手机和其他设备。用MRAM取代这些常规存储芯片有望延长设备的电池寿命，并推动视频文件等大量数据的传输。此外，这也有望为更小的电池组件铺平道路，推动手表、电脑和眼镜等可穿戴设备的发展。
