2018 - 2025年磁阻RAM (MRAM)市场分析，按类型(切换，自旋转移扭矩)，应用(消费电子，机器人，汽车，企业存储，航空航天)，地区和细分市场预测

报告概述

2016年，全球磁电阻存储器(MRAM)市场规模为3.075亿美元，预计在预测期乐鱼体育手机网站入口内将获得增长。对可穿戴设备和柔性电子产品的需求日益增长，预计将推动该部门的增长。这些电子产品需要灵活的磁存储器来处理和存储数据。

亚太地区磁电阻存储器(MRAM)市场，各类型，2014 - 2025年(百万美元)

与传统的NAND相比，MRAM超越了性能，速度更快，功耗更低，即使在没有电源的情况下也能够保存数据。与dram和sram相比，这些内存提供了巨大的增长空间，并具有快速的读写能力。

在未来几年，全球市场预计将加速增长，因为它具有取代闪存和其他电可擦可编程只读存储器(EEPROM)的潜力。

由于嵌入式和独立存储器的新产品在企业、消费电子、机器人、航空航天和国防以及工业等领域的各种应用中使用，预计将提供增长的机会。自旋隧道扭矩MRAM (STT)产品预计将对市场的大部分增长做出贡献。

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第二代STT在2015年占据了相当大的市场份额。由于其支持多种应用的能力，预计该技术仍将是首选。此外，垂直磁性隧道结(TMJ) STT有望对该行业做出重大贡献。这项技术将于2017年由Everspin科技公司推出。预计到2乐鱼体育手机网站入口025年，开关式技术的市场规模将达到11.975亿美元。

据估计，STT技术市场将在2017年占据主导地位，并有望在预测期内保持其主导地位。该市场预计将从2016年的1.989亿美元增长到2025年的36.064亿美元。由于STT技术具有高续航能力的特点，预计DRAM技术将很快达到极限，并被STT技术所取代。各种市场参与者正在努力实现这一替代;例如，美光正计划在2018年推出STT-MRAM，一种dram的替代产品。

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企业存储应用程序预计将很快获得推动。预计到2025年，该市场价值将达到12.27亿美元。据估计，由于MRAM比flash耗电更少，这一应用领域将继续增长。低功耗，提高企业存储应用的运行效率。

2015年北美磁阻RAM (MRAM)市场，各应用情况(%)

在预测期内，用于航空航天和国防工业的磁电阻随机存取存储技术预计将以37.6%的最高复合年增长率增长。这可以归因于该技术的高温耐力，使其成为最有利的选择。此外，由于其更快的读写能力，该技术最适合于消费电子应用，但与设计此类设备相关的高成本限制了其在消费电子应用中的增长。

区域的见解乐鱼APP二维码

2015年，北美地区以超过36%的收入份额主导了市场。这种主导地位可以归因于主要参与者的存在，以及该地区越来越多的研发活动。

此外，为了满足不断增长的需求，更快的计算速度，更好的可扩展性和更低的功耗，磁阻随机存取存储器的发展将得到推动。

亚太地区预计将在未来九年内成为增长最快的地区，这得益于数据中心基础设施的改进和进步，以及云计算的日益普及和互联网的使用。此外，可穿戴电子产品和移动电话的销售有很高的增长机会。由于劳动力成本低，原材料可获得性好，亚太地区有几家内存制造商和代工服务商。

主要公司和市场份额洞察乐鱼APP二维码

主导市场的主要供应商包括雪崩技术公司、Everspin技术公司、霍尼韦尔国际公司、英特尔公司、NVE公司、高通公司、三星电子有限公司、Spin转移技术公司、东芝公司和Crocus Nano电子有限责任公司等。

这些参与者越来越专注于开发新产品和创新，以成为技术先锋，主导市场。此外，在这个市场上已经观察到日益增长的伙伴关系和合作趋势。例如，2016年9月，Avalanche Technology, Inc.与索尼半导体制造公司达成协议，开始在300毫米晶圆上生产Avalanche的STT-MRAM。此次合作旨在帮助Avalanche公司采用基于垂直磁隧道结(pMTJ)的STT技术。

2014年，Everspin Technologies, Inc.与Global Foundries签订了MRAM技术的生产协议。在这种合作关系下，前者负责独立芯片应用，而后者负责开发使用pMTJ STT技术设计的嵌入式MRAM应用。

磁阻存储器(MRAM)市场报告范围

报告的属性	细节
乐鱼体育手机网站入口2020年市场规模价值	8.925亿美元
2025年收入预测	4803 .9亿美元
增长速度	2018 - 2025年复合年增长率为35.7%
估算基准年	2015
历史数据	2014 - 2015
预测期	2018 - 2025
量化单位	2018 - 2025年营收百万美元和复合年增长率
报告覆盖	收入预测，公司排名，竞争格局，增长因素和趋势
部分覆盖	类型、应用和地区。
区域范围	北美;欧洲;亚太地区;拉丁美洲;和是
国家范围	美国;加拿大;德国;英国;印度;日本;中国;和巴西
关键的公司介绍	雪崩科技有限公司;Everspin技术有限公司;霍尼韦尔国际公司;英特尔公司;NVE公司;高通公司。三星电子;自旋转移技术;东芝公司;藏红花纳米电子有限责任公司。
自定义范围	购买后免费定制报告(相当于多达8个分析师工作日)。增加或更改国家、地区和部门范围。
定价和购买选项	利用定制购买选项，以满足您的确切研究需求。探索购买选择

报告所涵盖的部分

本报告预测了全球、区域和国家层面的收入增长，并提供了2014年至2025年各细分领域的行业趋势分析。在本研究中，Grand View下载乐鱼体育平台 Research根据类型、应用和地区对全球MRAM市场进行了细分:

• 类型展望(收入，百万美元;2014 - 2025年)

  • 切换MRAM

  • 自旋传递扭矩MRAM (STT-MRAM)

• 应用前景(收入，百万美元;2014 - 2025年)

  • 消费电子产品

  • 机器人

  • 汽车

  • 企业存储

  • 航空航天和国防

  • 其他人

• 地区展望(收入，百万美元;2014 - 2025年)

  • 北美

  • 欧洲

    • 俄罗斯

  • 亚太地区

  • 行