对能源效率的不断增长的需求和对可再生能源的日益重视,预计将成为IGBT和超级结MOSFET市场的关键驱动力。电力传输效率的需求导致了对改进电力电子设计的需求,推动了IGBT和超级结MOSFET市场的发展。在预测期内,一些组织为遏制电力损失和保护环境而采取的绿色IT举措预计将推动市场。
2012 - 2020年全球IGBT和超级结MOSFET市场按产品(十亿美元)
高替换需求和数据中心市场的积极发展预计将推动IGBT和超级结MOSFET市场需求。为了满足排放标准和减少碳足迹,电动汽车(EV)和混合动力电动汽车(HEV)的使用已经发生了转变。由于这一趋势预计将促进IGBT和超级结MOSFET的采用,预计将在预测期内对全球市场产生积极影响。替代品的可用性,包括碳化硅和氮化镓(GaN)等复合半导体材料,可能会抑制市场的增长。
关键部分包括离散产品和模块。离散IGBT广泛应用于消费类电子产品以及高功率应用领域。预计IGBT将继续受到风能和太阳能发电、通用逆变器和高频应用的欢迎。电源适配器小型化有望推动超级结MOSFET市场。离散产品增长可归因于电源应用需求。预计超级结MOSFET模块将在逆变器领域获得市场份额。
主要细分领域包括转换器或适配器、消费类、光伏逆变器、工业、不间断电源(UPS)、电机驱动和EV/HEV应用。适配器或充电器的需求可以归功于日益增长的智能手机、平板电脑和相关设备。电动和混合动力电动汽车预计将在未来六年内获得市场份额,这主要是由于IGBT和超级结MOSFET促进了大量功能。其中包括信息娱乐、暖通空调、电动助力转向以及照明。控制电机驱动系统的需求预计将在未来六年内推动电机驱动领域的市场。
预计亚太地区在预测期内仍将是最大的区域IGBT和超级结MOSFET市场。日本、印度和中国等国家的大型工厂的存在预计将对太阳能行业有利。亚太地区汽车和光伏逆变器生产的发展也预计将在未来六年内推动采用。另外,随着高速列车网络的扩大,对功率半导体的需求也将大幅增加。美国风力涡轮机安装的增加预计将对北美市场产生积极影响。电机驱动、混合动力汽车和工业应用预计将成为北美IGBT市场的关键领域。
英飞凌、三菱电机和富士电机是IGBT市场的主要企业。为巩固全球市场份额和在新兴和成熟的区域市场扩张而进行的并购是行业参与者采取的关键战略之一。跨组织的垂直整合也是主要的战略举措之一。超级结MOSFET市场高度整合,2013年英飞凌和意法半导体占据了整体市场的大部分份额。