2021 - 2028年高k和CVD ALD金属前体市场规模，份额和趋势乐鱼体育手机网站入口分析报告，按技术(互连，电容器，门)，按地区(北美，欧洲，亚太，中东和非洲，拉丁美洲)，和细分市场预测

报告概述

2020年全球高k和CVD ALD金属前体市场规模为4.821亿美元，预计2021年至2028乐鱼体育手机网站入口年将以6.2%的复合年增长率(CAGR)增长。金属有机复合材料的低热稳定性是其市场增长的主要原因。主要公司的大量研发活动有望改善铜金属化工艺，有望加速在微电子器件上沉积第一排金属薄膜(导电)和介电(绝缘)前驱体的需求。2020年，COVID-19大流行对世界各地的几个行业产生了负面影响，包括高k和ALD/CVD金属前体市场。因此，应对2019冠状病毒病大流行仍然是大多数半导体行业在2020年面临的主要挑战。

由于新冠肺炎疫情引发的封锁，世界各地的大部分制造工厂都关闭或关闭了。由于封锁和相关供应链中断，半导体行业在2020年上半年出现下滑。尽管这些工厂在今年下半年重新开业，但高钾和ALD/CVD金属前体市场花了很长时间才恢复到covid -19前的水平，预计反弹速度将较慢。这对大多数行业参与者构成了重大挑战。

然而，快速访问和存储数据的需求不断增长，这促使对高介电值材料的需求。的原子层沉积钌、铑、铱、钯、铂等贵金属的ALD有望成为一个活跃的研究领域。由于ALD技术的迅速发展，对几种薄膜材料的工业应用的高需求。所有这些因素都有望在预测期内推动市场增长。

选择和设计合适的金属有机前驱体是成功开发新型金属有机前驱体的关键化学汽相淀积(CVD)过程。买家更喜欢具有高介电常数的绝缘体，因为它们在现代半导体器件中起着几个关键作用，包括降低金属绝缘体-半导体(MIS)场效应晶体管的功耗。对介电常数较高的金属前体，如铝、铪、钴、钛、钽、钨和锆的需求预计将在预测期内增加。

这种前驱体用于制造金属薄膜。由于其在非半导体领域的应用和半导体工业的快速发展，ALD领域已经取得了长足的发展。原子层沉积是一种尖端的沉积方法，它可以以特定的控制方式沉积几纳米的超薄薄膜。此外，ALD在高展弦比结构中提供了显著的沉积一致性，此外还提供了埃级的厚度控制。

选择合适的前驱体是获得下一代可缩放存储器和金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)器件所需的高k材料的主要挑战。这种半导体器件要求有高展弦比和低沉积温度的保形薄膜。高温沉积技术可能导致非均匀层的粘连降低、层间原子扩散、形貌变化和结晶度变化等复杂性。

技术的见解乐鱼APP二维码

基于技术，高k和CVD ALD金属前驱体市场被细分为互连体、电容器和栅极。高k前驱体主要用于制造栅极和电容器，而金属前驱体则用于生产电极和互连体。2020年，互连部分占了最大的市场份额，价值2.325亿美元。互连是在集成电路(IC)中使用铜(Cu)或铝(Al)对金属进行模数化，并引入阻挡金属层以保护硅(Si)免受潜在损伤的一种制造技术。高k介电层在某些电子元件和器件中越来越普遍，如先进的金属-绝缘体-金属(MIM)电容器、dram、有机薄膜晶体管、oled和非易失性类型的存储器件。高k金属栅极技术用于晶体管缩放。

预计从2021年到2028年，门市场的年复合增长率将达到10.4%。在使用高k介电材料如Al2O3, Ta2O5, HfO2和ZrO2用于dram，高k栅极氧化物和氮化物用于电极和互连的ALD技术生产薄膜方面已经进行了重要的研究。

当晶体管尺寸缩小到1.0 nm或以下时，高k介电和金属栅极技术的结合大大减少了栅极泄漏。半导体公司在CMOS技术中使用的mosfet中加入了高k金属栅(HKMG)堆栈，以继续器件扩展到45纳米及以下节点。英特尔公司引进的主要技术包括增强通道应变、铪基高k栅极电动和双功功能金属替换栅极。

区域的见解乐鱼APP二维码

亚太地区市场占2020年最大的市场份额，价值3.094亿美元。由于中国对电子产品的需求高于平均水平，以及电子设备生产继续外包给中国等因素，预计该地区将在预测期内继续占据主导地位。巴西、俄罗斯、印度和中国(金砖四国)经济体对半导体器件的需求不断增长，这是由于对低成本、高便携性和多样化的终端使用电子产品的需求不断增长，预计也将显著促进该地区市场的增长。

促进美国市场增长的主要趋势是半导体行业中纳米技术的研发活动的增加。此外，3d堆叠ic等半导体器件的制造需求也在不断增加，这些器件具有多面结构，并使用ALD等低成本和无缝制造工艺生产，预计将推动国内市场的增长。

主要公司和市场份额洞察乐鱼APP二维码

该市场的知名公司包括液化空气集团;空气化工产品有限公司;普莱克斯;德国默克制药公司;和陶氏化学。这些公司中的大多数都在利用收购和合作战略来扩大他们在全球市场的足迹。例如，2015年11月，默克收购了西格玛-奥尔德里奇，以投资生命科学业务，并加强其无菌检测产品的投资组合。收购完成后，SAFC Hitech业务与默克的性能材料业务合并，预计将作为其集成电路业务部门的一部分。Beneq是ALD设备和薄膜涂层服务供应商，与工艺创新中心(CPI)达成战略合作协议，将ALD技术应用于印刷电子产品。一些在全球高k和CVD ALD金属前体市场上经营的主要公司有:

• 法国液化空气公司

• 空气化工产品有限公司

• 普莱克斯

• 林德

• 陶氏化学公司

高k和CVD ALD金属前体市场报告范围

报告的属性	细节
乐鱼体育手机网站入口2021年的市场规模价值	4.98亿美元
2028年收入预测	7.611亿美元
增长速度	2021 - 2028年复合年增长率6.2%
估算基准年	2020
历史数据	2018 - 2019
预测期	2021 - 2028
量化单位	2021 - 2028年营收百万美元和复合年增长率
报告覆盖	收入预测，公司排名，竞争格局，增长因素和趋势
部分覆盖	技术、地区
区域范围	北美;欧洲;亚太地区;拉丁美洲;中东和非洲
国家范围	美国;加拿大;英国;德国;中国;印度;日本;巴西;墨西哥
关键的公司介绍	液化空气集团;空气化工产品有限公司;普莱克斯;林德;陶氏化学公司
自定义范围	购买后免费定制报告(相当于多达8个分析师工作日)。增加或更改国家、地区和部门范围。
定价和购买选项	利用定制购买选项，以满足您的确切研究需求。探索购买选择

报告所涵盖的部分

本报告预测了全球、区域和国家层面的收入增长，并提供了2018年至2028年每个细分领域的最新行业趋势分析。在本研究中，Grand View下载乐鱼体育平台 Research根据技术和地区对全球高k和CVD ALD金属前体市场报告进行了细分:

• 技术展望(收入，百万美元，2018 - 2028年)

  • 互连

  • 电容器

  • 盖茨

• 地区展望(收入，百万美元，2018 - 2028年)

  • 北美

    • 美国

    • 加拿大

  • 欧洲

    • 英国

    • 德国

  • 亚太地区

    • 中国

    • 印度

    • 日本

  • 拉丁美洲

    • 巴西

    • 墨西哥

  • 中东和非洲