3D NAND闪存市场规模，份额和趋势分析乐鱼体育手机网站入口报告，按产品，按技术，区域展望，竞争战略，和细分市场预测，2019 - 2025年

全球3D NAND闪存市场预计将在预测期内大幅增长。3D NAND Flash是一种闪存，它将存储单元相互堆叠，在较小的物理空间中提供更高的容量/体积比。它通过缩短电池之间的互连长度使电效率最大化。三星电子的3D V-NAND是首款3D NAND闪存芯片。垂直堆叠的电池层利用了电荷陷阱闪光(CTF)技术，使其能够在芯片上提供高达128 GB的内存。它的写性能是二维NAND的两倍，可扩展性是二维NAND的两倍，可靠性是二维NAND的十倍，从而提高了笔记本电脑、智能手机和平板电脑的性能和稳定性。3D NAND芯片也用于固态硬盘(ssd)由于它们具有无需电源即可保存数据的特点。3D NAND的制造过程比替代技术(如RRAM)要简单，因为它需要生产NAND的相同材料，而FRAM、MRAM、RRAM和其他技术需要新的材料，这些材料还没有很好地探索和理解。此外，它们被广泛应用于消费电子产品和企业应用中。

主要的智能手机制造商之间的竞争主要基于高性能。移民的迅速涌入智能手机，平板电脑，而笔记本电脑市场预计将成为这个行业的主要驱动力。笔记本制造商已经开始在他们提供的一些高级笔记本中集成这种技术。对提供大存储空间的数据存储设备的需求增加有望推动3D NAND闪存市场。对用于编程、监控、游戏和各种关键领域的高性能计算机的需求不断增长，预计将进一步推动3D NAND闪存市场的增长。从高端企业市场开始，V-NAND技术有望逐步取代平面NAND市场。在制造这些芯片的过程中所涉及的一些挑战包括垂直连接的电池阵列的构建，建造高的多层结构，以及在整个晶圆上安装均匀厚度的层。此外，设备的每一层都必须被绝缘层包围。

业界参与者包括美光科技、三星电子、英特尔、SK海力士、SanDisk和东芝等公司。东芝和SanDisk计划通过开发新的晶圆工厂，开始3D NAND的创造。3D NAND芯片预计能够创建具有足够容量存储1tb数据的嵌入式闪存。